Общая информация
Дата выхода на рынок	2025 г.
Основные
Объём	1 ТБ
Форм-фактор	M.2
Интерфейс	PCI Express 5.0 x4
Версия NVMe	2.0
Тип микросхем Flash	3D TLC NAND
Контроллер	Silicon Motion SM2508
Размеры устройств M.2	2280
Ресурс записи	740 TBW
Технические характеристики
DRAM-буфер
Аппаратное шифрование
Скорость последовательного чтения	14 000 Мбайт/с
Скорость последовательной записи	10 000 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения	1 600 000 IOps
Средняя скорость случайной записи	1 650 000 IOps
Время наработки на отказ (МТBF)	2 000 000 ч
Толщина	30.45 мм
Охлаждение
Тип охлаждения	радиатор с воздушным и жидкостным охлаждением
Подсветка
Комплектация
Тип поставки	RTL (Retail)