Общая информация
Дата выхода на рынок	2020 г.
Основные
Объём	1 ТБ
Форм-фактор	M.2
Интерфейс	PCI Express 4.0 x4
Тип микросхем Flash	3D TLC NAND
Контроллер	Samsung Elpis
Размеры устройств M.2	2280
Ресурс записи	600 TBW
Технические характеристики
DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера	1024 МБ
Аппаратное шифрование	AES 256bit
Скорость последовательного чтения	7 000 Мбайт/с
Скорость последовательной записи	5 000 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения	1 000 000 IOps
Средняя скорость случайной записи	1 000 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись)	6.2 Вт  (режим Burst 8.9 Вт )
Энергопотребление (ожидание)	0.035 Вт
Время наработки на отказ (МТBF)	1 500 000 ч
Толщина	2.38 мм
Охлаждение
Подсветка
Совместимость с PS5
Комплектация
Тип поставки	RTL (в коробке)