❗️Текст описания переведен при помощи искусственного интеллекта.
✅ Оставайтесь на вершине своей игры
990 EVO предлагает улучшенные последовательные скорости чтения/записи до 5 000/4 200 МБ/с и случайные скорости чтения/записи до 700K/800K IOPS, достигая 43% быстрее, чем 970 EVO Plus 2TB. Ждите меньше для игр и быстрого доступа к большим файлам.
✅ Универсальность, чтобы удовлетворить ваши потребности
Разработанный для удовлетворения потребностей игр, бизнеса и работы. Поддерживаемый последними интерфейсами PCIe 4.0 x4 и PCIe 5.0 x2, он предлагает гибкость для текущих вычислений и того, что еще предстоит. Оставайтесь на вершине с этим универсальным игроком.
✅ Улучшенная энергоэффективность
Улучшение энергоэффективности на 70% по сравнению с предыдущей моделью* помогает сохранить заряд батареи при использовании компьютера. Кроме того, он поддерживает режим Modern Standby, позволяя оставаться подключенным к интернету и получать уведомления даже в режиме низкого энергопотребления.
✅ Умное тепловое решение
Ярлык теплораспределителя 990 EVO помогает контролировать температуру чипа NAND. Современный алгоритм теплового контроля Samsung, совмещенный с Dynamic Thermal Guard, обеспечивает как постоянную, так и надежную производительность. Держите свою производительность на высоте, а не ваш диск.
✅ Программное обеспечение Samsung Magician
Сделайте свой SSD работающим как волшебство. Оптимизационные инструменты программного обеспечения Samsung Magician обеспечивают лучшую производительность SSD. Это безопасный и простой способ перенести все ваши данные для обновления SSD Samsung. Защитите ценные данные, отслеживайте состояние диска и получайте последние обновления прошивки.
✅ Привнесение инноваций в жизнь
Десятилетиями NAND-флэш-память Samsung питала революционные технологии, которые изменили каждую часть нашей повседневной жизни. Эта технология NAND-флэш-памяти также питает наши потребительские SSD, открывая дорогу для следующего большого прорыва инноваций.
| Дата выхода на рынок | 2024 г. |
| Основные |
| Объём | 2 ТБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 5.0 x2 |
| Версия NVMe | 2.0 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Samsung Piccolo |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 1200 TBW |
| Технические характеристики |
| DRAM-буфер | |
| Аппаратное шифрование | AES 256bit |
| Скорость последовательного чтения | 5 000 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 4 200 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 700 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 800 000 IOps |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 5.5 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.06 Вт |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч |
| Толщина | 2.38 мм |
| Охлаждение | |
| Подсветка | |
| Комплектация |
| Тип поставки | RTL (в коробке) |