Общая информация
Дата выхода на рынок	2019 г.
Основные
Объём	512 ГБ
Форм-фактор	M.2
Интерфейс	PCI Express 3.0 x4
Версия NVMe	1.3
Тип микросхем Flash	3D TLC NAND
Размеры устройств M.2	2280
Ресурс записи	350 TBW
Технические характеристики
Аппаратное шифрование
Скорость последовательного чтения	1 700 Мбайт/с
Скорость последовательной записи	1 400 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения	220 000 IOps
Средняя скорость случайной записи	200 000 IOps
Время наработки на отказ (МТBF)	1 500 000 ч
Толщина	3.8 мм
Охлаждение
Подсветка
Комплектация
Тип поставки	RTL (в коробке)